RSS Feed for Nghiên cứu xây dựng quy trình đo tổn hao điện môi phục vụ phòng thí nghiệm trọng điểm điện cao áp | Tạp chí Năng lượng Việt Nam Thứ năm 28/10/2021 15:49
TRANG TTĐT CỦA TẠP CHÍ NĂNG LƯỢNG VIỆT NAM

Nghiên cứu xây dựng quy trình đo tổn hao điện môi phục vụ phòng thí nghiệm trọng điểm điện cao áp

 - Bài báo nhằm xây dựng quy trình thử nghiệm đo tổn hao điện môi cho Phòng Thí nghiệm trọng điểm Điện cao áp, dựa trên cơ sở nghiên cứu lý thuyết cơ bản về kỹ thuật điện cao áp và các đặc tính kỹ thuật của hệ thống thử nghiệm FT-12 do Pressco AG sản xuất.

TS. NGUYỄN HỮU KIÊN; KS. TRẦN VIỆT SƠN
Viện Năng lượng - Bộ Công Thương

I. Giới thiệu

Phòng thí nghiệm trọng điểm điện cao áp (HVLAB) sau một thời gian tiến hành xây dựng, đến nay đã hoàn thành và đã được đưa vào hoạt động với các hệ thống thử nghiệm (HTTN) có cấp điện áp, công suất, dải đối tượng thử nghiệm (TN) lần đầu tiên trang bị ở Việt Nam. 

Tính đến nay, HVLAB được trang bị các HTTN hiện đại xuất xứ từ Mỹ và các nước thuộc khối G7 như: HTTN xung điện áp 3.600kV (Italia); xung dòng điện 100kA (CHLB Đức); HTTN điện áp xoay chiều tăng cao tần số công nghiệp tại phòng thí nghiệm (1200 kV; 50 Hz) và tại hiện trường (450 kV; 45÷300 Hz) (USA), Hệ thống đo lường điện môi FT-12 (Thụy Sỹ). [7].

Đầu nối tới vật thử tại HVLAB

Hầu hết tất cả các thiết bị điện (TBĐ) cao áp trước khi đưa vào vận hành sẽ trải qua một cuộc TN liên quan đến “C và tanδ” để kiểm tra chất lượng về điện [2; 3]. HTTN đo tổn hao điện môi là hệ thống hiện đại và phức tạp. Vì vậy, để vận hành khai thác và bảo dưỡng hệ thống này cần các cán bộ có kiến thức sâu cũng như kinh nghiệm nhất định trong lĩnh vực TN kỹ thuật điện (KTĐ) cao áp cũng như đo lường - điều khiển… Kết quả đề tài này là bước khởi đầu nhằm tạo cơ sở biên soạn các quy trình chi tiết hơn đối với hạng mục TN đo tổn hao điện môi phục vụ khai thác HVLAB.

Xem nội dung tại đây.

Nguồn: ievn.com.vn

nangluongvietnam.vn/

Có thể bạn quan tâm

Các bài mới đăng

Các bài đã đăng

[Xem thêm]
Phiên bản di động